Защо алуминият се използва при полупроводникови взаимовръзки?
Aluminum е исторически предпочитан за взаимовръзки поради добрата си електрическа проводимост и съвместимост със силиконов . По -лесно е да се депозират и модел в сравнение с други метали като мед в ранните полупроводникови процеси . алуминиеви форми на надеждни OHMIC контакти със силиконов, рекеални за транзисторните характеристики {{{{{{Its SiliCon, Mate For Transistor. Техниките за производство го направиха доминиращ до края на 90 -те години . Въпреки това, медта по -късно го замени за напреднали възли поради по -ниско съпротивление .
Как се отлага алуминий при производството на полупроводници?
Физическото отлагане на пара (PVD), особено разпръскващото, е основният метод за отлагане на алуминий . Тази техника осигурява равномерни тънки филми с контролирана дебелина на силициеви вафли . алуминиев, често е зареден с малки количества силикона или мед за подобряване (CVD) за структури с висока оценка . отгряването след депозиция засилва адхезията и намалява междуфазните дефекти .
Какви са предизвикателствата при използването на алуминий в съвременните полупроводници?
По-високото съпротивление на алуминиева в сравнение с увеличението на мед Силиций може да предизвика проблеми, свързани с надеждността, свързани с стреса . Въпреки това, той остава в употреба за наследени устройства и специфични приложения като подложки за връзки .
Защо алуминият все още се използва за подложки за полупроводникови връзки?
Алуминиевите подложки за връзки на връзки към златни или медни свързващи проводници . Те образуват местен оксиден слой, който се предпазва от корозия по време на опаковане . пластичността на алуминиева помощта помага да се абсорбира механично напрежение по време на свързване на тел .} kost-en-elfectivity and compathity с традиционните сглобяващи процеси, устойчиви на {{4 {4} Често запазвайте алуминиеви подложки за съвместимост с опаковане .
Как алуминият взаимодейства с диелектрични материали в чипс?
Aluminum's reactivity requires barrier layers (e.g., titanium nitride) to prevent diffusion into dielectrics. Poor adhesion to silicon dioxide necessitates intermediate layers for stability. Its thermal expansion mismatch can crack brittle low-k dielectrics in advanced Включени взаимовръзки . повърхностни обработки като плазйно почистване Подобряват качеството на интерфейса . Тези взаимодействия подтикват приемането на медни/танталумни бариери в по -новите технологии .
